Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN64N50P

IXFN64N50P

MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
Artikelnummer
IXFN64N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
700W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16557 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN64N50P
IXFN64N50P Elektroniska komponenter
IXFN64N50P Försäljning
IXFN64N50P Leverantör
IXFN64N50P Distributör
IXFN64N50P Datatabell
IXFN64N50P Foton
IXFN64N50P Pris
IXFN64N50P Erbjudande
IXFN64N50P Lägsta pris
IXFN64N50P Sök
IXFN64N50P Köp av
IXFN64N50P Chip