IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN100N10S1
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38272 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFN100N10S1
IXFN100N10S1 Elektroniska komponenter
IXFN100N10S1 Försäljning
IXFN100N10S1 Leverantör
IXFN100N10S1 Distributör
IXFN100N10S1 Datatabell
IXFN100N10S1 Foton
IXFN100N10S1 Pris
IXFN100N10S1 Erbjudande
IXFN100N10S1 Lägsta pris
IXFN100N10S1 Sök
IXFN100N10S1 Köp av
IXFN100N10S1 Chip