IXFN100N10S2
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN100N10S2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45829 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFN100N10S2
IXFN100N10S2 Elektroniska komponenter
IXFN100N10S2 Försäljning
IXFN100N10S2 Leverantör
IXFN100N10S2 Distributör
IXFN100N10S2 Datatabell
IXFN100N10S2 Foton
IXFN100N10S2 Pris
IXFN100N10S2 Erbjudande
IXFN100N10S2 Lägsta pris
IXFN100N10S2 Sök
IXFN100N10S2 Köp av
IXFN100N10S2 Chip