Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN100N25

IXFN100N25

MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN100N25
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11070 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN100N25
IXFN100N25 Elektroniska komponenter
IXFN100N25 Försäljning
IXFN100N25 Leverantör
IXFN100N25 Distributör
IXFN100N25 Datatabell
IXFN100N25 Foton
IXFN100N25 Pris
IXFN100N25 Erbjudande
IXFN100N25 Lägsta pris
IXFN100N25 Sök
IXFN100N25 Köp av
IXFN100N25 Chip