IXFB38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Artikelnummer
IXFB38N100Q2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
890W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30662 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFB38N100Q2
IXFB38N100Q2 Elektroniska komponenter
IXFB38N100Q2 Försäljning
IXFB38N100Q2 Leverantör
IXFB38N100Q2 Distributör
IXFB38N100Q2 Datatabell
IXFB38N100Q2 Foton
IXFB38N100Q2 Pris
IXFB38N100Q2 Erbjudande
IXFB38N100Q2 Lägsta pris
IXFB38N100Q2 Sök
IXFB38N100Q2 Köp av
IXFB38N100Q2 Chip