Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFB120N50P2

IXFB120N50P2

MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Artikelnummer
IXFB120N50P2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
1890W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17191 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFB120N50P2
IXFB120N50P2 Elektroniska komponenter
IXFB120N50P2 Försäljning
IXFB120N50P2 Leverantör
IXFB120N50P2 Distributör
IXFB120N50P2 Datatabell
IXFB120N50P2 Foton
IXFB120N50P2 Pris
IXFB120N50P2 Erbjudande
IXFB120N50P2 Lägsta pris
IXFB120N50P2 Sök
IXFB120N50P2 Köp av
IXFB120N50P2 Chip