IXFB170N30P
MOSFET N-CH TO-264
Artikelnummer
IXFB170N30P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
258nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53201 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFB170N30P
IXFB170N30P Elektroniska komponenter
IXFB170N30P Försäljning
IXFB170N30P Leverantör
IXFB170N30P Distributör
IXFB170N30P Datatabell
IXFB170N30P Foton
IXFB170N30P Pris
IXFB170N30P Erbjudande
IXFB170N30P Lägsta pris
IXFB170N30P Sök
IXFB170N30P Köp av
IXFB170N30P Chip