IXFB110N60P3
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Artikelnummer
IXFB110N60P3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
1890W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
245nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7133 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFB110N60P3
IXFB110N60P3 Elektroniska komponenter
IXFB110N60P3 Försäljning
IXFB110N60P3 Leverantör
IXFB110N60P3 Distributör
IXFB110N60P3 Datatabell
IXFB110N60P3 Foton
IXFB110N60P3 Pris
IXFB110N60P3 Erbjudande
IXFB110N60P3 Lägsta pris
IXFB110N60P3 Sök
IXFB110N60P3 Köp av
IXFB110N60P3 Chip