IXFB100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Artikelnummer
IXFB100N50Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
1560W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16111 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFB100N50Q3
IXFB100N50Q3 Elektroniska komponenter
IXFB100N50Q3 Försäljning
IXFB100N50Q3 Leverantör
IXFB100N50Q3 Distributör
IXFB100N50Q3 Datatabell
IXFB100N50Q3 Foton
IXFB100N50Q3 Pris
IXFB100N50Q3 Erbjudande
IXFB100N50Q3 Lägsta pris
IXFB100N50Q3 Sök
IXFB100N50Q3 Köp av
IXFB100N50Q3 Chip