Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFB210N30P3

IXFB210N30P3

MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Artikelnummer
IXFB210N30P3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
1890W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
268nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26501 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFB210N30P3
IXFB210N30P3 Elektroniska komponenter
IXFB210N30P3 Försäljning
IXFB210N30P3 Leverantör
IXFB210N30P3 Distributör
IXFB210N30P3 Datatabell
IXFB210N30P3 Foton
IXFB210N30P3 Pris
IXFB210N30P3 Erbjudande
IXFB210N30P3 Lägsta pris
IXFB210N30P3 Sök
IXFB210N30P3 Köp av
IXFB210N30P3 Chip