IXFB210N20P
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Artikelnummer
IXFB210N20P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
1500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53447 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFB210N20P
IXFB210N20P Elektroniska komponenter
IXFB210N20P Försäljning
IXFB210N20P Leverantör
IXFB210N20P Distributör
IXFB210N20P Datatabell
IXFB210N20P Foton
IXFB210N20P Pris
IXFB210N20P Erbjudande
IXFB210N20P Lägsta pris
IXFB210N20P Sök
IXFB210N20P Köp av
IXFB210N20P Chip