IRLB4132PBF
MOSFET N-CH 30V 78A TO220
Artikelnummer
IRLB4132PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5110pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46743 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLB4132PBF
IRLB4132PBF Elektroniska komponenter
IRLB4132PBF Försäljning
IRLB4132PBF Leverantör
IRLB4132PBF Distributör
IRLB4132PBF Datatabell
IRLB4132PBF Foton
IRLB4132PBF Pris
IRLB4132PBF Erbjudande
IRLB4132PBF Lägsta pris
IRLB4132PBF Sök
IRLB4132PBF Köp av
IRLB4132PBF Chip