IRLB3813PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
Artikelnummer
IRLB3813PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.95 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8420pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32358 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLB3813PBF
IRLB3813PBF Elektroniska komponenter
IRLB3813PBF Försäljning
IRLB3813PBF Leverantör
IRLB3813PBF Distributör
IRLB3813PBF Datatabell
IRLB3813PBF Foton
IRLB3813PBF Pris
IRLB3813PBF Erbjudande
IRLB3813PBF Lägsta pris
IRLB3813PBF Sök
IRLB3813PBF Köp av
IRLB3813PBF Chip