IRLB3036GPBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Artikelnummer
IRLB3036GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
380W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11210pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49065 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLB3036GPBF
IRLB3036GPBF Elektroniska komponenter
IRLB3036GPBF Försäljning
IRLB3036GPBF Leverantör
IRLB3036GPBF Distributör
IRLB3036GPBF Datatabell
IRLB3036GPBF Foton
IRLB3036GPBF Pris
IRLB3036GPBF Erbjudande
IRLB3036GPBF Lägsta pris
IRLB3036GPBF Sök
IRLB3036GPBF Köp av
IRLB3036GPBF Chip