IRLB4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Artikelnummer
IRLB4030PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
370W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11360pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19651 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLB4030PBF
IRLB4030PBF Elektroniska komponenter
IRLB4030PBF Försäljning
IRLB4030PBF Leverantör
IRLB4030PBF Distributör
IRLB4030PBF Datatabell
IRLB4030PBF Foton
IRLB4030PBF Pris
IRLB4030PBF Erbjudande
IRLB4030PBF Lägsta pris
IRLB4030PBF Sök
IRLB4030PBF Köp av
IRLB4030PBF Chip