IRF8915
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF8915
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.9A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35056 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8915
IRF8915 Elektroniska komponenter
IRF8915 Försäljning
IRF8915 Leverantör
IRF8915 Distributör
IRF8915 Datatabell
IRF8915 Foton
IRF8915 Pris
IRF8915 Erbjudande
IRF8915 Lägsta pris
IRF8915 Sök
IRF8915 Köp av
IRF8915 Chip