IRF8910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF8910PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25503 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8910PBF
IRF8910PBF Elektroniska komponenter
IRF8910PBF Försäljning
IRF8910PBF Leverantör
IRF8910PBF Distributör
IRF8910PBF Datatabell
IRF8910PBF Foton
IRF8910PBF Pris
IRF8910PBF Erbjudande
IRF8910PBF Lägsta pris
IRF8910PBF Sök
IRF8910PBF Köp av
IRF8910PBF Chip