IRF8910GTRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF8910GTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6788 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8910GTRPBF
IRF8910GTRPBF Elektroniska komponenter
IRF8910GTRPBF Försäljning
IRF8910GTRPBF Leverantör
IRF8910GTRPBF Distributör
IRF8910GTRPBF Datatabell
IRF8910GTRPBF Foton
IRF8910GTRPBF Pris
IRF8910GTRPBF Erbjudande
IRF8910GTRPBF Lägsta pris
IRF8910GTRPBF Sök
IRF8910GTRPBF Köp av
IRF8910GTRPBF Chip