IRF8910GPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
Artikelnummer
IRF8910GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54950 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8910GPBF
IRF8910GPBF Elektroniska komponenter
IRF8910GPBF Försäljning
IRF8910GPBF Leverantör
IRF8910GPBF Distributör
IRF8910GPBF Datatabell
IRF8910GPBF Foton
IRF8910GPBF Pris
IRF8910GPBF Erbjudande
IRF8910GPBF Lägsta pris
IRF8910GPBF Sök
IRF8910GPBF Köp av
IRF8910GPBF Chip