IRF8252PBF
MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO
Artikelnummer
IRF8252PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5305pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14763 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8252PBF
IRF8252PBF Elektroniska komponenter
IRF8252PBF Försäljning
IRF8252PBF Leverantör
IRF8252PBF Distributör
IRF8252PBF Datatabell
IRF8252PBF Foton
IRF8252PBF Pris
IRF8252PBF Erbjudande
IRF8252PBF Lägsta pris
IRF8252PBF Sök
IRF8252PBF Köp av
IRF8252PBF Chip