IRF8113GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF8113GTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2910pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28018 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8113GTRPBF
IRF8113GTRPBF Elektroniska komponenter
IRF8113GTRPBF Försäljning
IRF8113GTRPBF Leverantör
IRF8113GTRPBF Distributör
IRF8113GTRPBF Datatabell
IRF8113GTRPBF Foton
IRF8113GTRPBF Pris
IRF8113GTRPBF Erbjudande
IRF8113GTRPBF Lägsta pris
IRF8113GTRPBF Sök
IRF8113GTRPBF Köp av
IRF8113GTRPBF Chip