IRF8113GPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Artikelnummer
IRF8113GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2910pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50635 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8113GPBF
IRF8113GPBF Elektroniska komponenter
IRF8113GPBF Försäljning
IRF8113GPBF Leverantör
IRF8113GPBF Distributör
IRF8113GPBF Datatabell
IRF8113GPBF Foton
IRF8113GPBF Pris
IRF8113GPBF Erbjudande
IRF8113GPBF Lägsta pris
IRF8113GPBF Sök
IRF8113GPBF Köp av
IRF8113GPBF Chip