IRF2903ZLPBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
Artikelnummer
IRF2903ZLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
231W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6320pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12537 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF2903ZLPBF
IRF2903ZLPBF Elektroniska komponenter
IRF2903ZLPBF Försäljning
IRF2903ZLPBF Leverantör
IRF2903ZLPBF Distributör
IRF2903ZLPBF Datatabell
IRF2903ZLPBF Foton
IRF2903ZLPBF Pris
IRF2903ZLPBF Erbjudande
IRF2903ZLPBF Lägsta pris
IRF2903ZLPBF Sök
IRF2903ZLPBF Köp av
IRF2903ZLPBF Chip