IRF2204PBF
MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
Artikelnummer
IRF2204PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
330W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 130A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16431 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF2204PBF
IRF2204PBF Elektroniska komponenter
IRF2204PBF Försäljning
IRF2204PBF Leverantör
IRF2204PBF Distributör
IRF2204PBF Datatabell
IRF2204PBF Foton
IRF2204PBF Pris
IRF2204PBF Erbjudande
IRF2204PBF Lägsta pris
IRF2204PBF Sök
IRF2204PBF Köp av
IRF2204PBF Chip