IRF200P223
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Artikelnummer
IRF200P223
Tillverkare/varumärke
Serier
StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AC
Effektförlust (max)
313W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5094pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10964 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF200P223
IRF200P223 Elektroniska komponenter
IRF200P223 Försäljning
IRF200P223 Leverantör
IRF200P223 Distributör
IRF200P223 Datatabell
IRF200P223 Foton
IRF200P223 Pris
IRF200P223 Erbjudande
IRF200P223 Lägsta pris
IRF200P223 Sök
IRF200P223 Köp av
IRF200P223 Chip