IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Artikelnummer
IRF200P222
Tillverkare/varumärke
Serier
StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AC
Effektförlust (max)
556W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
182A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.6 mOhm @ 82A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
203nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9820pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25490 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF200P222
IRF200P222 Elektroniska komponenter
IRF200P222 Försäljning
IRF200P222 Leverantör
IRF200P222 Distributör
IRF200P222 Datatabell
IRF200P222 Foton
IRF200P222 Pris
IRF200P222 Erbjudande
IRF200P222 Lägsta pris
IRF200P222 Sök
IRF200P222 Köp av
IRF200P222 Chip