IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Artikelnummer
IRF200B211
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®, StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
80W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15872 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF200B211
IRF200B211 Elektroniska komponenter
IRF200B211 Försäljning
IRF200B211 Leverantör
IRF200B211 Distributör
IRF200B211 Datatabell
IRF200B211 Foton
IRF200B211 Pris
IRF200B211 Erbjudande
IRF200B211 Lägsta pris
IRF200B211 Sök
IRF200B211 Köp av
IRF200B211 Chip