IRF2807PBF
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
Artikelnummer
IRF2807PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3820pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29652 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF2807PBF
IRF2807PBF Elektroniska komponenter
IRF2807PBF Försäljning
IRF2807PBF Leverantör
IRF2807PBF Distributör
IRF2807PBF Datatabell
IRF2807PBF Foton
IRF2807PBF Pris
IRF2807PBF Erbjudande
IRF2807PBF Lägsta pris
IRF2807PBF Sök
IRF2807PBF Köp av
IRF2807PBF Chip