SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Artikelnummer
SQJQ100E-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 8 x 8
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14780pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16134 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQJQ100E-T1_GE3
SQJQ100E-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQJQ100E-T1_GE3 Försäljning
SQJQ100E-T1_GE3 Leverantör
SQJQ100E-T1_GE3 Distributör
SQJQ100E-T1_GE3 Datatabell
SQJQ100E-T1_GE3 Foton
SQJQ100E-T1_GE3 Pris
SQJQ100E-T1_GE3 Erbjudande
SQJQ100E-T1_GE3 Lägsta pris
SQJQ100E-T1_GE3 Sök
SQJQ100E-T1_GE3 Köp av
SQJQ100E-T1_GE3 Chip