SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Artikelnummer
SQJQ402E-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 8 x 8 Single
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 8 x 8
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10232 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQJQ402E-T1_GE3
SQJQ402E-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQJQ402E-T1_GE3 Försäljning
SQJQ402E-T1_GE3 Leverantör
SQJQ402E-T1_GE3 Distributör
SQJQ402E-T1_GE3 Datatabell
SQJQ402E-T1_GE3 Foton
SQJQ402E-T1_GE3 Pris
SQJQ402E-T1_GE3 Erbjudande
SQJQ402E-T1_GE3 Lägsta pris
SQJQ402E-T1_GE3 Sök
SQJQ402E-T1_GE3 Köp av
SQJQ402E-T1_GE3 Chip