SIUD412ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
Artikelnummer
SIUD412ED-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 0806
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 0806
Effektförlust (max)
1.25W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.71nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21pF @ 6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11926 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIUD412ED-T1-GE3
SIUD412ED-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIUD412ED-T1-GE3 Försäljning
SIUD412ED-T1-GE3 Leverantör
SIUD412ED-T1-GE3 Distributör
SIUD412ED-T1-GE3 Datatabell
SIUD412ED-T1-GE3 Foton
SIUD412ED-T1-GE3 Pris
SIUD412ED-T1-GE3 Erbjudande
SIUD412ED-T1-GE3 Lägsta pris
SIUD412ED-T1-GE3 Sök
SIUD412ED-T1-GE3 Köp av
SIUD412ED-T1-GE3 Chip