Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIUD406ED-T1-GE3

SIUD406ED-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Artikelnummer
SIUD406ED-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 0806
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 0806
Effektförlust (max)
1.25W (Ta)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
17pF @ 15V
Vgs (max)
±8V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41595 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIUD406ED-T1-GE3
SIUD406ED-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIUD406ED-T1-GE3 Försäljning
SIUD406ED-T1-GE3 Leverantör
SIUD406ED-T1-GE3 Distributör
SIUD406ED-T1-GE3 Datatabell
SIUD406ED-T1-GE3 Foton
SIUD406ED-T1-GE3 Pris
SIUD406ED-T1-GE3 Erbjudande
SIUD406ED-T1-GE3 Lägsta pris
SIUD406ED-T1-GE3 Sök
SIUD406ED-T1-GE3 Köp av
SIUD406ED-T1-GE3 Chip