Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIUD402ED-T1-GE3

SIUD402ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
Artikelnummer
SIUD402ED-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 0806
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 0806
Effektförlust (max)
1.25W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43069 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIUD402ED-T1-GE3
SIUD402ED-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIUD402ED-T1-GE3 Försäljning
SIUD402ED-T1-GE3 Leverantör
SIUD402ED-T1-GE3 Distributör
SIUD402ED-T1-GE3 Datatabell
SIUD402ED-T1-GE3 Foton
SIUD402ED-T1-GE3 Pris
SIUD402ED-T1-GE3 Erbjudande
SIUD402ED-T1-GE3 Lägsta pris
SIUD402ED-T1-GE3 Sök
SIUD402ED-T1-GE3 Köp av
SIUD402ED-T1-GE3 Chip