SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Artikelnummer
SIS932EDN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Max
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20244 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIS932EDN-T1-GE3
SIS932EDN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIS932EDN-T1-GE3 Försäljning
SIS932EDN-T1-GE3 Leverantör
SIS932EDN-T1-GE3 Distributör
SIS932EDN-T1-GE3 Datatabell
SIS932EDN-T1-GE3 Foton
SIS932EDN-T1-GE3 Pris
SIS932EDN-T1-GE3 Erbjudande
SIS932EDN-T1-GE3 Lägsta pris
SIS932EDN-T1-GE3 Sök
SIS932EDN-T1-GE3 Köp av
SIS932EDN-T1-GE3 Chip