SIS902DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Artikelnummer
SIS902DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Max
15.4W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
186 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 38V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20894 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIS902DN-T1-GE3
SIS902DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIS902DN-T1-GE3 Försäljning
SIS902DN-T1-GE3 Leverantör
SIS902DN-T1-GE3 Distributör
SIS902DN-T1-GE3 Datatabell
SIS902DN-T1-GE3 Foton
SIS902DN-T1-GE3 Pris
SIS902DN-T1-GE3 Erbjudande
SIS902DN-T1-GE3 Lägsta pris
SIS902DN-T1-GE3 Sök
SIS902DN-T1-GE3 Köp av
SIS902DN-T1-GE3 Chip