SIS903DN-T1-GE3
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Artikelnummer
SIS903DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen III
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Max
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET typ
2 P-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2565pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45463 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIS903DN-T1-GE3 Försäljning
SIS903DN-T1-GE3 Leverantör
SIS903DN-T1-GE3 Distributör
SIS903DN-T1-GE3 Datatabell
SIS903DN-T1-GE3 Foton
SIS903DN-T1-GE3 Pris
SIS903DN-T1-GE3 Erbjudande
SIS903DN-T1-GE3 Lägsta pris
SIS903DN-T1-GE3 Sök
SIS903DN-T1-GE3 Köp av
SIS903DN-T1-GE3 Chip