SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO
Artikelnummer
SIR680DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 7.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42739 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR680DP-T1-RE3
SIR680DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR680DP-T1-RE3 Försäljning
SIR680DP-T1-RE3 Leverantör
SIR680DP-T1-RE3 Distributör
SIR680DP-T1-RE3 Datatabell
SIR680DP-T1-RE3 Foton
SIR680DP-T1-RE3 Pris
SIR680DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR680DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR680DP-T1-RE3 Sök
SIR680DP-T1-RE3 Köp av
SIR680DP-T1-RE3 Chip