SIR606DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO
Artikelnummer
SIR606DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
44.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 6V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36871 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR606DP-T1-GE3
SIR606DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIR606DP-T1-GE3 Försäljning
SIR606DP-T1-GE3 Leverantör
SIR606DP-T1-GE3 Distributör
SIR606DP-T1-GE3 Datatabell
SIR606DP-T1-GE3 Foton
SIR606DP-T1-GE3 Pris
SIR606DP-T1-GE3 Erbjudande
SIR606DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIR606DP-T1-GE3 Sök
SIR606DP-T1-GE3 Köp av
SIR606DP-T1-GE3 Chip