SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Artikelnummer
SIR606BDP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53502 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR606BDP-T1-RE3
SIR606BDP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR606BDP-T1-RE3 Försäljning
SIR606BDP-T1-RE3 Leverantör
SIR606BDP-T1-RE3 Distributör
SIR606BDP-T1-RE3 Datatabell
SIR606BDP-T1-RE3 Foton
SIR606BDP-T1-RE3 Pris
SIR606BDP-T1-RE3 Erbjudande
SIR606BDP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR606BDP-T1-RE3 Sök
SIR606BDP-T1-RE3 Köp av
SIR606BDP-T1-RE3 Chip