köpa Vishay Siliconix SIR610DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SIR610DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Artikelnummer

SIR610DP-T1-RE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

ThunderFET®

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

PowerPAK® SO-8

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® SO-8

Effektförlust (max)

104W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

200V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

35.4A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 100V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

7.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 49325 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606DP-T1-GE3