SIR616DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8
Artikelnummer
SIR616DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
ThunderFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 7.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5526 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR616DP-T1-GE3
SIR616DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIR616DP-T1-GE3 Försäljning
SIR616DP-T1-GE3 Leverantör
SIR616DP-T1-GE3 Distributör
SIR616DP-T1-GE3 Datatabell
SIR616DP-T1-GE3 Foton
SIR616DP-T1-GE3 Pris
SIR616DP-T1-GE3 Erbjudande
SIR616DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIR616DP-T1-GE3 Sök
SIR616DP-T1-GE3 Köp av
SIR616DP-T1-GE3 Chip