SIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Artikelnummer
SIHD3N50D-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-PAK (TO-252AA)
Effektförlust (max)
69W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33485 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3 Elektroniska komponenter
SIHD3N50D-E3 Försäljning
SIHD3N50D-E3 Leverantör
SIHD3N50D-E3 Distributör
SIHD3N50D-E3 Datatabell
SIHD3N50D-E3 Foton
SIHD3N50D-E3 Pris
SIHD3N50D-E3 Erbjudande
SIHD3N50D-E3 Lägsta pris
SIHD3N50D-E3 Sök
SIHD3N50D-E3 Köp av
SIHD3N50D-E3 Chip