SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Artikelnummer
SIHD2N80E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
E
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-PAK (TO-252AA)
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
315pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20978 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHD2N80E-GE3
SIHD2N80E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHD2N80E-GE3 Försäljning
SIHD2N80E-GE3 Leverantör
SIHD2N80E-GE3 Distributör
SIHD2N80E-GE3 Datatabell
SIHD2N80E-GE3 Foton
SIHD2N80E-GE3 Pris
SIHD2N80E-GE3 Erbjudande
SIHD2N80E-GE3 Lägsta pris
SIHD2N80E-GE3 Sök
SIHD2N80E-GE3 Köp av
SIHD2N80E-GE3 Chip