SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH DPAK TO-252
Artikelnummer
SIHD1K4N60E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
E
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
63W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.45 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
172pF @ 100V
Vgs (max)
±30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19045 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHD1K4N60E-GE3
SIHD1K4N60E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHD1K4N60E-GE3 Försäljning
SIHD1K4N60E-GE3 Leverantör
SIHD1K4N60E-GE3 Distributör
SIHD1K4N60E-GE3 Datatabell
SIHD1K4N60E-GE3 Foton
SIHD1K4N60E-GE3 Pris
SIHD1K4N60E-GE3 Erbjudande
SIHD1K4N60E-GE3 Lägsta pris
SIHD1K4N60E-GE3 Sök
SIHD1K4N60E-GE3 Köp av
SIHD1K4N60E-GE3 Chip