IRF644PBF
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
Artikelnummer
IRF644PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52682 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF644PBF
IRF644PBF Elektroniska komponenter
IRF644PBF Försäljning
IRF644PBF Leverantör
IRF644PBF Distributör
IRF644PBF Datatabell
IRF644PBF Foton
IRF644PBF Pris
IRF644PBF Erbjudande
IRF644PBF Lägsta pris
IRF644PBF Sök
IRF644PBF Köp av
IRF644PBF Chip