IRF60R217
MOSFET N-CH 60V 58A
Artikelnummer
IRF60R217
Tillverkare/varumärke
Serier
StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2170pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18927 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF60R217
IRF60R217 Elektroniska komponenter
IRF60R217 Försäljning
IRF60R217 Leverantör
IRF60R217 Distributör
IRF60R217 Datatabell
IRF60R217 Foton
IRF60R217 Pris
IRF60R217 Erbjudande
IRF60R217 Lägsta pris
IRF60R217 Sök
IRF60R217 Köp av
IRF60R217 Chip