IRF60DM206
MOSFET N-CH 60V 130A
Artikelnummer
IRF60DM206
Tillverkare/varumärke
Serier
StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric ME
Leverantörsenhetspaket
DirectFET™ Isometric ME
Effektförlust (max)
96W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21535 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF60DM206
IRF60DM206 Elektroniska komponenter
IRF60DM206 Försäljning
IRF60DM206 Leverantör
IRF60DM206 Distributör
IRF60DM206 Datatabell
IRF60DM206 Foton
IRF60DM206 Pris
IRF60DM206 Erbjudande
IRF60DM206 Lägsta pris
IRF60DM206 Sök
IRF60DM206 Köp av
IRF60DM206 Chip