IRF60B217
MOSFET N-CH 60V 60A
Artikelnummer
IRF60B217
Tillverkare/varumärke
Serier
StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39594 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF60B217
IRF60B217 Elektroniska komponenter
IRF60B217 Försäljning
IRF60B217 Leverantör
IRF60B217 Distributör
IRF60B217 Datatabell
IRF60B217 Foton
IRF60B217 Pris
IRF60B217 Erbjudande
IRF60B217 Lägsta pris
IRF60B217 Sök
IRF60B217 Köp av
IRF60B217 Chip