IRF640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Artikelnummer
IRF640STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15860 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF640STRRPBF
IRF640STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF640STRRPBF Försäljning
IRF640STRRPBF Leverantör
IRF640STRRPBF Distributör
IRF640STRRPBF Datatabell
IRF640STRRPBF Foton
IRF640STRRPBF Pris
IRF640STRRPBF Erbjudande
IRF640STRRPBF Lägsta pris
IRF640STRRPBF Sök
IRF640STRRPBF Köp av
IRF640STRRPBF Chip