IRF640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Artikelnummer
IRF640STRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24504 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF640STRLPBF
IRF640STRLPBF Elektroniska komponenter
IRF640STRLPBF Försäljning
IRF640STRLPBF Leverantör
IRF640STRLPBF Distributör
IRF640STRLPBF Datatabell
IRF640STRLPBF Foton
IRF640STRLPBF Pris
IRF640STRLPBF Erbjudande
IRF640STRLPBF Lägsta pris
IRF640STRLPBF Sök
IRF640STRLPBF Köp av
IRF640STRLPBF Chip